Деловая социальная сеть "Деловой Мир.biz" - проект, где можно почерпнуть множество полезной информации, получить бесплатную консультацию в любой сфере деятельности, поделиться успешным опытом своего бизнеса, найти деловых партнеров и инвесторов. Деловая социальная сеть "Деловой Мир.biz" - проект, где можно почерпнуть множество полезной информации, получить бесплатную консультацию в любой сфере деятельности, поделиться успешным опытом своего бизнеса, найти деловых партнеров и инвесторов. Деловая социальная сеть "Деловой Мир.biz" - проект, где можно почерпнуть множество полезной информации, получить бесплатную консультацию в любой сфере деятельности, поделиться успешным опытом своего бизнеса, найти деловых партнеров и инвесторов. Деловая социальная сеть "Деловой Мир.biz" - проект, где можно почерпнуть множество полезной информации, получить бесплатную консультацию в любой сфере деятельности, поделиться успешным опытом своего бизнеса, найти деловых партнеров и инвесторов. Деловая социальная сеть "Деловой Мир.biz" - проект, где можно почерпнуть множество полезной информации, получить бесплатную консультацию в любой сфере деятельности, поделиться успешным опытом своего бизнеса, найти деловых партнеров и инвесторов.
Российский университет предлагает полезную модель, которая относится к области полупроводниковой техники и может быть использована в электронных устройствах для определения температуры, в том числе непосредственно в кристалле полупроводниковой микросхемы. Одним из возможных применений может быть защита полупроводниковых приборов от перегрева. Университетищет инвесторов для организации производства и реализации измерительных комплексов, использующих предложенное решение. Предлагаемый способ определения температуры позволит встраивать схемы контроля и диагностики работы электронных схем полупроводниковых микросхем непосредственно на кристалл полупроводниковой микросхемы как её часть, что позволит повысить надежность микросхем. При этом схемотехническое решение данного способа контроля температуры достаточно простое и организуется на небольшом количестве элементов. Преимуществом предлагаемого датчика температуры по сравнению с аналогами является простота схемотехнического решения в случае, когда необходимо определять достижение критического уровня температуры. При этом для определения температуры используется свойство p–n-перехода, то есть датчиком является p–n-переход, в том числе выполненный по биполярной технологии. Поэтому вся схема может быть выполнена в теле полупроводниковой микросхемы, изготовленной по биполярной технологии как часть её схемы в одном технологическом цикле. В связи с тем, что датчик температуры и управляющая схема к нему могутбыть выполнены на небольшом количестве элементов, внедрение в основную схему полупроводниковой микросхемы схем контроля температуры, работающих с использованием предлагаемого датчика температуры, незначительно увеличит площадь и плотность элементов микросхемы. Следовательно, выход годных микросхем и себестоимость микросхем изменятся незначительно. Экономический эффект от внедрения предлагаемого датчика температуры заключается в повышении надежности полупроводниковых микросхем, снижении себестоимости их изготовления. Сущность работы предлагаемого датчика температуры заключается в использовании эффекта генерации повышенного уровня шума в прямой ветке p–n-перехода в диапазоне от 150 до 200 мА при изменении тепловых и электрических нагрузок и фиксации высокого уровня шума как информативного сигнала.Определять температуру можно по передвижению края максимума шумового напряжения. Возникнув при определенных температуре и токе, он в дальнейшем при повышении температуры "передвигается" справа налево, т.е. генерация шумового напряжения происходит на меньших токах. Анализируя появления высокого уровня шумового напряжения при определенном токе через p–n-переход, можно определять температуру полупроводниковой структуры. Принцип работы датчика температуры заключается в следующем. На клеммах датчика 1 выставляется стабилизированное напряжение, которое в свою очередь определяет ток In через p–n-переход 2. При повышении температуры, генерация шумового напряжения происходит при меньших токах, протекающих через p–n-переход. В определенный момент, когда температура достигнет уровня, при котором начинает генерироваться повышенное шумовое напряжения, оно зарегистрируется как управляющий сигнал любым устройством, реагирующим на повышение напряжения 3. Для исключения из информативного сигнала постоянной составляющей, в схему датчика температуры может быть внесен конденсатор 4. Для облегчения юстировки в схему датчика температуры может быть внесено построечное сопротивление 5. Устройства, работающие с использованием предлагаемого датчика температуры, могут быть использованы в устройствах контроля электронных схем: компьютерной техники, авиационной техники, автомобильной техники, в быту и производстве. С учетом развития электронной и компьютерной технологий и внедрения их в повседневную жизнь, а также с учетом того, что устройства контроля используются практически в любом электронном устройстве, эффект от внедрения устройств, работающих с использованием предлагаемого датчика температуры, может быть оценен, с учетом перспектив развития рынка, в миллиарды рублей. Патент № 93148 на полезную модель "Датчик температуры"/ Дата рег. 20.04.2010, приоритет от 17.11.2009
Запрашиваемая сумма
300000 USD
Сфера спроса инвестиций
Электронная промышленность
Месторасположение
Россия, Санкт-Петербург и обл.
Общий бюджет проекта
5000000 USD
Форма инвестиции
Долгосрочный
Срок возврата инвестиций
36 мес.
Если Вас заинтересовал инвестиционный спрос, Вы можете связаться с его автором
Для этого проделайте следующие шаги:
- наведите на мини профиль пользователя стрелкой мыши (должна появиться черная рамка) и щелкните.
- в профиле пользователя пройдите по ссылке "Отправить сообщение"
Деловой Мир.biz - проект, где можно почерпнуть множество полезной информации, получить бесплатную консультацию в любой сфере деятельности, поделиться успешным опытом своего бизнеса, найти деловых партнеров и инвесторов.
Предлагается лицензия на использование запатентованной полезной модели в производстве микросхем
Меню ДМ
